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IKD10N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RA	文件：2.20257 Mbytes Page：16 Pages	600VTRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RF	文件：1.93 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD10N60RFA	文件：1.75585 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP10N60T	文件：458.12 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP10N60T	文件：396.81 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP10N60T	文件：352.4 Kbytes Page：13 Pages	TrenchStopSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKU10N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKU10N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRFBL10N60A	文件：117.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IXFA10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar3™HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFA10N60P	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFA10N60P	文件：332.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=740mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH10N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM10N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM10N60	文件：317.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP10N60	文件：296.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.74Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar3™HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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更多HXY10N60F供应商更新时间2024-6-9 11:36:00

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