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MRF454	文件：38 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF454isDesignedfor12.5VoltPowerAmplifierApplicationsupto30MHz. FEATURESINCLUDE: •ReplacementforSD1405 •PG=12dBMin.@30MHz&80W •Withstands20:1LoadVSWR	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF454	文件：90.32 Kbytes Page：3 Pages	RFPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto30MHz. •Specified12.5Volt,30MHzCharacteristics— OutputPower=80Watts MinimumGain=12dB Efficiency=50	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
MRF454	文件：57.29 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto30MHz. •Specified12.5Volt,30MHzCharacteristics— OutputPower=80Watts MinimumGain=12dB Efficiency=50	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MUR454	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER ReverseVoltage:50to600Volts ForwardCurrent:4.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 ▪Lowforwardvoltagedrop ▪Highcurrentcapability,Highreliability ▪Lowpowerloss,highefficiency ▪Highsurgecurrentcapability	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR454G	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
NDT454	文件：92.24 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT454P	文件：92.24 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT454P	文件：999.87 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel35V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTE454	文件：26.55 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET,N-Ch,DualGate,TVUHF/RFAmp,GateProtected Description: TheNTE454isadepletionmodedualgateMOSFETtransistordesignedforVHFamplifierandmixerapplications. Features: LowReverseTransferCapacitance–Crss=0.03pf(Max) HighForwardTransferAdmittance–\|yfe\|=0–20mmhos DiodeProtectedGates 3 4 Ga	NTE NTE Electronics	NTE
OPA454	文件：1.13826 Mbytes Page：36 Pages	High-Voltage(100V),High-Current(50mA)OPERATIONALAMPLIFIERS,G=1Stable	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
HWS454
制造商：
HW
制造商全称：
HW
功能描述：
GaAs DC-6 GHz DP4T Switch

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