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MRF454分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MRF454
厂商型号

MRF454

参数属性

MRF454 封装/外壳为211-11,2 型;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 18V 211-11

功能描述

RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
RF TRANS NPN 18V 211-11

文件大小

90.32 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Tyco Electronics
企业简称

MACOM

中文名称

Tyco Electronics官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-14 19:00:00

MRF454规格书详情

The RF Line

NPN Silicon RF Power Transistor

Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz.

• Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics —

Output Power = 80 Watts

Minimum Gain = 12 dB

Efficiency = 50

MRF454属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。Tyco Electronics制造生产的MRF454晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    MRF454

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    18V

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    80W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    20A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    211-11,2 型

  • 供应商器件封装:

    211-11,2 型

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 211-11

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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