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IRFP254	文件：46.91 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutatingdv/dtrating •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-mode po	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP254	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP254	文件：1.37117 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254	文件：1.53406 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP254	文件：621.78 Kbytes Page：2 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmoutinghole.Italsoprovidesgreatercreepagedistancebetweenpinstomee	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：1.55662 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254	文件：529.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254A	文件：247.49 Kbytes Page：7 Pages	$GYDQFHG3RZHU026)(7 FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowRDS(ON):0.108Ω(Typ.)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP254A	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=25A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
HV254FG-G
功能描述：
运算放大器 - 运放 32-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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