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HUF75309D3	文件：102.63 Kbytes Page：9 Pages	19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：102.63 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HUF75309D3	文件：218.88 Kbytes Page：10 Pages	19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：218.88 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HUF75309D3S	文件：218.88 Kbytes Page：10 Pages	19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：218.88 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HUF75309D3S	文件：102.63 Kbytes Page：9 Pages	19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：102.63 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HUF75309D3S	文件：780.09 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：780.09 Kbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
HUF75309D3ST	文件：780.05 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：780.05 Kbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
HUF75309D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
HUF75309D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
HUF75309D
功能描述：
MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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