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INA286	文件：1.21314 Mbytes Page：33 Pages	High-Accuracy,WideCommon-ModeRange,Bi-DirectionalCURRENTSHUNTMONITOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA286AID	文件：1.34992 Mbytes Page：36 Pages	BidirectionalCurrentShuntMonitors	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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INA286AIDGKR	文件：1.34992 Mbytes Page：36 Pages	BidirectionalCurrentShuntMonitors	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA286AIDGKT	文件：1.34992 Mbytes Page：36 Pages	BidirectionalCurrentShuntMonitors	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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INA286AIDR	文件：1.34992 Mbytes Page：36 Pages	BidirectionalCurrentShuntMonitors	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA286AIDR	文件：1.296426 Mbytes Page：37 Pages	INA286-14V至+80V、双向、高精度、低侧/高侧、高速、电压输出电流分流监控器	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 PDF上传者：深圳市亚泰盈科电子有限公司	TI
IS286	文件：157.4 Kbytes Page：1 Pages	1Wepoxysealtype	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
KRC286M	文件：380.83 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,AUDIOMUTING) SWITCHINGAPPLICATION. AUDIOMUTINGAPPLICATION. FEATURES ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(Min) ●HighreversehFE:reversehFE=150(Typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA) ●Lowonresistance:Ron=1(Typ.)(IB=5mA) ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityof	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC286S	文件：383.8 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,AUDIOMUTING) SWITCHINGAPPLICATION. AUDIOMUTINGAPPLICATION. FEATURES ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(Min) ●HighreversehFE:reversehFE=150(Typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA) ●Lowonresistance:Ron=1(Typ.)(IB=5mA) ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityof	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC286U	文件：21.2 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE SWITCHINGAPPLICATION. AUDIOMUTINGAPPLICATION. FEATURES ·Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(Min) ·HighreversehFE:reversehFE=150(Typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA) ·Lowonresistance:Ron=1Ω(Typ.)(IB=5mA) ·WithBuilt-inBiasResistors. ·SimplifyCircuitDesign. ·Reducea	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
L-286	文件：58.66 Kbytes Page：1 Pages	xDSLInductors	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
L-286	文件：59.61 Kbytes Page：1 Pages	xDSLInductors	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
L-286	文件：42.3 Kbytes Page：1 Pages	HDSLCommonModeChoke	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
LA286B-SRFVG-PF	文件：222.87 Kbytes Page：7 Pages	LEDARRAY	LIGITEKLigitek electronic 立碁電子	LIGITEK
LDQ-M286RI	文件：77.12 Kbytes Page：1 Pages	0.28FOURDIGIT,SEVENSEGMENTDISPLAYSUPERRED,GRAYFACE,WHITESEGMENTS,COMMENANODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
LDQ-M286RI	文件：63.85 Kbytes Page：1 Pages	SUPERRED,GRAYFACE,WHITESEGMENTS	Lumex LUMEX INC.	Lumex
LDQ-N286RI	文件：62.5 Kbytes Page：1 Pages	RED,GRAYFACEWITHMILKYWHITEDIFFUSEDSEGMENTS	Lumex LUMEX INC.	Lumex
MRF286	文件：200.01 Kbytes Page：8 Pages	TheRFSub-MicronMOSFETLineRFPowerFieldEffectTransistors 2000MHz,60W,26VLATERALN–CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFETs N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationsatfrequenciesfrom1000to2400MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinclassA	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

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产品属性

产品编号：
HSMS-286K-BLKG
制造商：
Broadcom Limited
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
散装
二极管类型：
肖特基 - 1 对隔离式
电压 - 峰值反向（最大值）：
4V
不同 Vr、F 时电容：
0.25pF @ 0V，1MHz
工作温度：
150°C（TJ）
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SOT-363
描述：
RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT363

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