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IRF5806	文件：218.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V) Description These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. ● Ultra 文件：218.25 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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更多HP5806供应商更新时间2025-12-1 19:22:00