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HP5806

PRECISION BAROMETER AND ALTIMETER SENSOR

HOPEHOPE Microelectronics CO., Ltd.

华普微深圳市华普微电子股份有限公司

IRF5806

PowerMOSFET(Vdss=-20V)

Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●Ultra

IRF

International Rectifier

IRF5806PBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

IRF5806TRPBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

LV5806MX

Step-downSwitchingRegulator

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

NTD5806N

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

NTD5806N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NTD5806N

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTD5806N

PowerMOSFET40V,33A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTD5806NG

PowerMOSFET40V,33A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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更多HP5806供应商 更新时间2025-7-24 17:54:00