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HN1D03F分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

HN1D03F
厂商型号

HN1D03F

参数属性

HN1D03F 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

功能描述

Diode Silicon Epitaxial Planar Type

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

171.91 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-16 17:54:00

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HN1D03F规格书详情

Ultra High Speed Switching Application

● Built in anode common and cathode common.

Unit 1

● Low forward voltage Q1, Q2: VF (3) = 0.90V (typ.)

● Fast reverse recovery time Q1, Q2: trr = 1.6ns (typ.)

● Small total capacitance Q1, Q2: CT = 0.9pF (typ.)

Unit 2

● Low forward voltage Q3, Q4: VF (3) = 0.92V (typ.)

● Fast reverse recovery time Q3, Q4: trr = 1.6ns (typ.)

● Small total capacitance Q3, Q4: CT = 2.2pF (typ.)

产品属性

  • 产品编号:

    HN1D03FU,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    2 对 CA + CC

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    80mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 工作温度 - 结:

    125°C(最大)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    US6

  • 描述:

    DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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