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HN1D02F分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

HN1D02F
厂商型号

HN1D02F

参数属性

HN1D02F 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

功能描述

DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)

封装外壳

SOT-563,SOT-666

文件大小

119.83 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 8:25:00

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HN1D02F规格书详情

Ultra-High-Speed Switching Applications

● The HN1D02F is composed of two (2) cathode common units.

● Low forward voltage : VF (3) = 0.90 V (typ.)

● Fast reverse recovery time : trr = 1.6 ns (typ.)

● Small total capacitance : CT = 0.9 pF (typ.)

产品属性

  • 产品编号:

    HN1D02FU(T5L,F,T)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管配置:

    2 对共阴极

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    100mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 工作温度 - 结:

    125°C(最大)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    ES6

  • 描述:

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
21+
SOT363
1709
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TOSHIBA
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SOT-163
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