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HN1C01FU-Y

Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

SM1C01NSF

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

SINOPWERSinopower Semiconductor Inc

大中集成电路大中集成电路股份有限公司

SM1C01NSF

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

SM1C01NSFC-TUG

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

SINOPWERSinopower Semiconductor Inc

大中集成电路大中集成电路股份有限公司

SM1C01NSFP

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

SINOPWERSinopower Semiconductor Inc

大中集成电路大中集成电路股份有限公司

SM1C01NSFPC-TUG

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SINOPWERSinopower Semiconductor Inc

大中集成电路大中集成电路股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    HN1C01FUGRLFT

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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500000
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更多HN1C01FUGRLFT供应商 更新时间2025-5-30 8:20:00