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HN1B01FU-Y

Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

HN1B01F-Y

Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications

Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

HPH1B01SGA

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HPH1B01SGB

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HPH1B01TA

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HPH1B01TB

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HPH1B01UA

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HPH1B01UB

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    HN1B01FUGRLFT

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Toshiba Semiconductor and Stor
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6-TSSOP SC-88 SOT-363
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TOSHIBA
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SOT363
6200
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更多HN1B01FUGRLFT供应商 更新时间2025-7-21 15:06:00