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IRF254	文件：182.31 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFM254	文件：93.65 Kbytes Page：1 Pages	PulsewidthlimitedbyMaximumJunctionTemperature	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：162.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.14ohm,Id=23A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP254	文件：46.91 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutatingdv/dtrating •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-mode po	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP254	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP254	文件：1.37117 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254	文件：1.53406 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP254	文件：621.78 Kbytes Page：2 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmoutinghole.Italsoprovidesgreatercreepagedistancebetweenpinstomee	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：1.55662 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
HN-254X
功能描述：
射频模块 2.4 GHz Freq-Hopping Serial Modem
RoHS：
否
制造商：
Linx Technologies
产品：
Transceiver Modules
频带：
902 MHz to 928 MHz
输出功率：
- 15.5 dBm to + 12.5 dBm
接口类型：
UART
工作电源电压：
- 0.3 VDC to + 5.5 VDC
传输供电电流：
38.1 mA
接收供电电流：
22.7 mA
天线连接器类型：
U.FL
最大工作温度：
+ 85 C
尺寸：
1.15 mm x 0.63 mm x 0.131 mm

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