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HMC8412LP2FETRRF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
HMC8412LP2FETR |
参数属性 | HMC8412LP2FETR 封装/外壳为6-VDFN 裸露焊盘,CSP;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:LNA 0.4 11 GHZ |
功能描述 | Low Noise Amplifier, 0.4 GHz to 11 GHz |
封装外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘,CSP |
文件大小 |
430.77 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | Analog Devices |
企业简称 |
AD【亚德诺】 |
中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-31 23:00:00 |
人工找货 | HMC8412LP2FETR价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC8412LP2FETR规格书详情
HMC8412LP2FETR属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC8412LP2FETR射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
更多- 产品编号:
HMC8412LP2FETR
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率:
400MHz ~ 11GHz
- P1dB:
18dBm
- 增益:
14dB
- 噪声系数:
1.4dB
- 射频类型:
雷达
- 电压 - 供电:
2V ~ 6V
- 电流 - 供电:
60mA
- 测试频率:
400MHz ~ 9GHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-VDFN 裸露焊盘,CSP
- 供应商器件封装:
6-LFCSP(2x2)
- 描述:
LNA 0.4 11 GHZ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺) |
24+ |
DFN6(2x2) |
1259 |
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ADI(亚德诺) |
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