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HMC8412LP2FERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

HMC8412LP2FE
厂商型号

HMC8412LP2FE

参数属性

HMC8412LP2FE 封装/外壳为6-VDFN 裸露焊盘,CSP;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:LNA 0.4 11 GHZ

功能描述

Low Noise Amplifier, 0.4 GHz to 11 GHz
LNA 0.4 11 GHZ

封装外壳

6-VDFN 裸露焊盘,CSP

文件大小

430.77 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 Analog Devices
企业简称

AD亚德诺

中文名称

亚德诺半导体技术有限公司官网

原厂标识
AD
数据手册

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更新时间

2025-8-1 17:30:00

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HMC8412LP2FE规格书详情

HMC8412LP2FE属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC8412LP2FE射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    HMC8412LP2FE

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    400MHz ~ 11GHz

  • P1dB:

    18dBm

  • 增益:

    14dB

  • 噪声系数:

    1.8dB

  • 射频类型:

    雷达

  • 电压 - 供电:

    2V ~ 6V

  • 电流 - 供电:

    60mA

  • 测试频率:

    400MHz ~ 9GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-VDFN 裸露焊盘,CSP

  • 供应商器件封装:

    6-LFCSP(2x2)

  • 描述:

    LNA 0.4 11 GHZ

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