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HMC817LP4ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

HMC817LP4E
厂商型号

HMC817LP4E

参数属性

HMC817LP4E 封装/外壳为24-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 550MHZ-1.2GHZ 24QFN

功能描述

SMT GaAs pHEMT DUAL CHANNEL LOW NOISE AMPLIFIER, 550 - 1200 MHz

封装外壳

24-VFQFN 裸露焊盘

文件大小

1.15948 Mbytes

页面数量

8

生产厂商 Hittite Microwave Corporation
企业简称

HITTITE

中文名称

Hittite Microwave Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 18:35:00

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产品属性

  • 产品编号:

    HMC817LP4E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    550MHz ~ 1.2GHz

  • P1dB:

    21dBm

  • 增益:

    16dB

  • 噪声系数:

    0.5dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    3V,5V

  • 电流 - 供电:

    95mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 550MHZ-1.2GHZ 24QFN

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