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HMC770LP4BERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

HMC770LP4BE
厂商型号

HMC770LP4BE

参数属性

HMC770LP4BE 封装/外壳为20-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN

功能描述

GaAs pHEMT 50 / 75 Ohm DIFFERENTIAL AMPLIFIER, 0.04 - 1 GHz

封装外壳

20-VFQFN 裸露焊盘

文件大小

1.83364 Mbytes

页面数量

14

生产厂商 Hittite Microwave Corporation
企业简称

HITTITE

中文名称

Hittite Microwave Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 18:05:00

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产品属性

  • 产品编号:

    HMC770LP4BE

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    40MHz ~ 1GHz

  • P1dB:

    23.5dBm

  • 增益:

    16.5dB

  • 噪声系数:

    2.75dB

  • 射频类型:

    WLAN

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    136mA

  • 测试频率:

    40MHz ~ 1GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    20-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    20-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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