HMC715LP3中文资料GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 2.1 - 2.9 GHz数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
HMC715LP3 |
| 参数属性 | HMC715LP3 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC AMP LTE 2.1GHZ-2.9GHZ 16QFN |
| 功能描述 | GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 2.1 - 2.9 GHz |
| 封装外壳 | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 14:36:00 |
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HMC715LP3规格书详情
简介
HMC715LP3属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC715LP3射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
技术参数
更多- 产品编号：
HMC715LP3ETR
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）
- 频率：
2.1GHz ~ 2.9GHz
- P1dB：
19.5dBm
- 增益：
19dB
- 噪声系数：
0.9dB
- 射频类型：
LTE，WiMax
- 电压 - 供电：
3V ~ 5V
- 电流 - 供电：
95mA
- 测试频率：
2.9GHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
16-QFN（3x3）
- 描述：
IC AMP LTE 2.1GHZ-2.9GHZ 16QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITTITE |
18+ |
QFN |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
ADI |
22+ |
16QFN |
9000 |
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询价 | ||
ADI |
24+ |
SMD |
1680 |
ADI一级代理原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ANALOGDEVICES |
2022+ |
5000 |
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ADI |
24+ |
原装原封 |
3500 |
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询价 | ||
ADI |
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QFN |
5 |
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Hittite Microwave |
23+ |
NA |
20094 |
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HITTITE |
24+ |
SMD |
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询价 | ||
ADI |
23+ |
2507 |
原厂原装正品 |
询价 | |||
ADI(亚德诺) |
24+ |
NA/ |
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询价 |
