HMC715LP3数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

厂商型号 |
HMC715LP3 |
参数属性 | HMC715LP3 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC AMP LTE 2.1GHZ-2.9GHZ 16QFN |
功能描述 | GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 2.1 - 2.9 GHz |
封装外壳 | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
制造商 | ADI Analog Devices |
中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 9:49:00 |
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HMC715LP3规格书详情
简介
HMC715LP3属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC715LP3射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
技术参数
更多- 产品编号:
HMC715LP3ETR
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装:
卷带(TR)
- 频率:
2.1GHz ~ 2.9GHz
- P1dB:
19.5dBm
- 增益:
19dB
- 噪声系数:
0.9dB
- 射频类型:
LTE,WiMax
- 电压 - 供电:
3V ~ 5V
- 电流 - 供电:
95mA
- 测试频率:
2.9GHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
16-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
16-QFN(3x3)
- 描述:
IC AMP LTE 2.1GHZ-2.9GHZ 16QFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
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