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OPA659IDBVR	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDBVT	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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OPA659IDBVT	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA659IDRBR	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA659IDRBR	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDRBR	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
OPA659IDRBT	文件：1.33121 Mbytes Page：32 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
OPA659IDRBT	文件：1.52715 Mbytes Page：35 Pages	JFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA659IDRBT	文件：930.71 Kbytes Page：25 Pages	Wideband,Unity-GainStable,JFET-InputOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
P659	文件：115.85 Kbytes Page：2 Pages	SMPFEMALEMITERRIGHTANGLETOSEMI-RIGIDCABLE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
PLVA659A	文件：43.9 Kbytes Page：8 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes DESCRIPTION HighperformancevoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. TheseriesconsistsofPLVA650AtoPLVA668A. FEATURES •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately1⁄20ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:approximat	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PLVA659A	文件：223.79 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PLVA659A-Q	文件：206.37 Kbytes Page：10 Pages	Low-voltageavalancheregulatordiodes 1.Generaldescription HighperformancevoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB),Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowdynamicimpedanceatlowcurrents:approximately5ofconventionalseries •Hardbreakdownknee •Lownoise:appr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
S659	文件：418.5 Kbytes Page：1 Pages	350WATTSDC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
SBC-659P	文件：410.75 Kbytes Page：1 Pages	IntelPentiumIIIandCeleronProcessors	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
SDR659	文件：80.01 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SLVU659A	文件：425.45 Kbytes Page：17 Pages	TPS62125EVM-044EvaluationModule	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
STB659B	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC	EIC
STB659B	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC	EIC

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产品属性

产品编号：
HMC659-SX
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
托盘
频率：
0Hz ~ 15GHz
P1dB：
26.5dBm
增益：
18.5dB
噪声系数：
2dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
8V
电流 - 供电：
300mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC RF AMP GP 0HZ-15GHZ DIE

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