SMT GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY MULTIPLIER, 24 - 33 GHz OUTPUT

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x2有源倍频器芯片，24 - 33 GHz Fout

HMC578是一款采用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在24至33 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在28 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于25 dBc和36 dBc。 HMC578非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 \n\n 应用 \n\n 时钟生成应用： SONET OC-192和SDH STM-64 点对点和VSAT无线电 测 • 高输出功率： +17 dBm \n• 低输入功耗驱动： 0至+6 dBm \n• Fo隔离： >25 dBc（Fout = 28 GHz时）;

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亚德诺

x2有源倍频器SMT，24 - 33 GHz Fout

HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在24至33 GHz范围内提供+15 dBm的典型输出功率。 在28 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。 \n\n HMC578LC3B非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-129 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 HMC578LC3B采用符合RoHS标准的封装，无需线焊，可以使用表贴制造技术。 • 高输出功率： +15 dBm \n\n• 低输入功耗驱动： 0至+6 dBm \n\n• Fo隔离： >20 dBc（Fout = 28 GHz时）;

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Package：12-VFQFN 裸露焊盘；包装：带 功能：频率系数 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：IC MULTIPLIER X2 BB 12SMD

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Package：12-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 功能：频率系数 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：IC MMIC MULTIPLIER X2 BB 12SMD

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