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HMC536MS8G中文资料3 Watt SPDT T/R 交换芯片 SMT，DC - 6 GHz数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
HMC536MS8G |
| 参数属性 | HMC536MS8G 封装/外壳为8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘；包装为托盘；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关；产品描述：IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 8MSG |
| 功能描述 | 3 Watt SPDT T/R 交换芯片 SMT，DC - 6 GHz |
| 封装外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 10:21:00 |
| 人工找货 | HMC536MS8G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC536MS8G规格书详情
描述 Description
HMC536MS8G & HMC536MS8GE 是 DC - 6 GHz、GaAs、MMIC、T/R 交换芯片，采用 8 引脚 MSOP8G 表面贴装封装，带有裸露的接地焊盘。该交换芯片非常适合蜂窝 PCS/3G 基站应用，具有 0.5 dB 的低插入损耗和 +55 dBm 的输入IP3 。该交换芯片在 6 GHz 的频率下具有出色的功率处理能力，具体为开关在 +3 V 控制下提供 +29 dBm 的 P0.1dB 压缩点。片内电路允许在极低的直流电流下将正电压控制在 0/+ 3 V 或 0/+ 5V。
特性 Features
• 输入P0.1dB：+34 dBm (+5V)
• 插入损耗：0.5 dB
• 正控制电压：+3V或+5V
• MS8G SMT 封装，14.8 mm²
简介
HMC536MS8G属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的HMC536MS8G射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。
技术参数
更多- 产品编号：
HMC536MS8G
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装：
托盘
- 射频类型：
通用
- 拓扑：
反射
- 电路：
SPDT
- 频率范围：
0Hz ~ 6GHz
- 隔离：
32dB
- 插损：
0.7dB
- 测试频率：
6GHz
- IIP3：
48dBm
- 阻抗：
50 欧姆
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-MSG
- 描述：
IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 8MSG
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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