HMC525ALC4数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

描述 Description

HMC525ALC4是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ALC4为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。

特性 Features

• 无源：无需直流偏置

• 转换损耗：8 dB（典型值）

• 输入IP3：20 dBm（典型值）

• LO至RF隔离：47 dB（典型值）

• IF频率范围：DC至3.5 GHz

• 符合RoHS标准的24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装

简介

HMC525ALC4属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC525ALC4射频混频器射频混频器又称混频器，这些器件具有三个端口，用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件，可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz，混频器数为 1、2、3 或 4。