HMC521A数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

描述 Description

HMC521ALC4是一款紧凑型、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准、双平衡混频器单元和一个90°混合耦合器，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。低频正交混合器件用于产生100 MHz中频(IF)输出。该器件为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC521ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。

特性 Features

• 下变频器，8.5 GHz至13.5 GHz
• 转换损耗：9 dB（典型值）

• 镜像抑制：27.5 dBc（典型值）

• LO至RF隔离：39 dB（典型值）

• 输入IP3：16 dBm（典型值）

简介

HMC521A属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC521A射频混频器射频混频器又称混频器，这些器件具有三个端口，用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件，可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz，混频器数为 1、2、3 或 4。