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HMC408

1 W功率放大器SMT,5.1 - 5.9 GHz

HMC408LP3(E)是一款5.1 - 5.9 GHz高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)功率放大器MMIC,提供+30 dBm P1dB。 该放大器提供20 dB增益,饱和功率为+32.5 dBm,电源电压为+5V (27% PAE)。 输入内部匹配至50 Ohms,输出需极少的外部元件。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 该放大器采用低成本、3x3 mm无铅表面贴装封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 • 增益: 20 dB \n\n• 饱和功率: +32.5 dBm (27% PAE) \n\n• 单电源电压: +5V \n\n• 省电功能\n\n• 3x3 mm无铅SMT封装;

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亚德诺

HMC408LP3

GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz

文件:264.64 Kbytes 页数:7 Pages

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HMC408LP3

GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz

文件:352.19 Kbytes 页数:8 Pages

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HMC408LP3

GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER

文件:385.03 Kbytes 页数:8 Pages

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HMC408LP3

GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz

文件:246.64 Kbytes 页数:8 Pages

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HMC408LP3_06

GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz

文件:352.19 Kbytes 页数:8 Pages

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HMC408LP3_09

GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz

文件:246.64 Kbytes 页数:8 Pages

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HMC408LP3E

GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz

文件:246.64 Kbytes 页数:8 Pages

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HMC408LP3E

GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER

文件:385.03 Kbytes 页数:8 Pages

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亚德诺

HMC408LP3E

Package:16-VFQFN 裸露焊盘;包装:带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP HIPERLAN 5.1-5.9GHZ 16SMT

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详细参数

  • 型号:

    HMC408

  • 制造商:

    HITTITE

  • 制造商全称:

    Hittite Microwave Corporation

  • 功能描述:

    GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 5.1 - 5.9 GHz

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