HMC369数据手册RF/IF射频/中频RFID的RFIC模块规格书PDF

描述 Description

HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技术的有源微型x2倍频器，提供3x3 mm无引脚QFN表贴封装。 功率输出为+4 dBm（典型值），单电源电压为+5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制为30 dBc（典型值）。

100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 HMC369LP3(E)非常适合在LO倍频器链路中使用，与传统方法相比可以减少器件数量。 HMC369LP3(E)还用于OC-192时钟恢复。 输入端应用10 GBPS数据可在输出端产生-7 dBm时钟音，杂散信号抑制为25 dB。

特性 Features

• 输出功率： +15 dBm

• 宽输入功率范围： 0至+10 dBm

• 100 kHz SSB相位噪声： -140 dBc/Hz

简介

HMC369属于RF/IF射频/中频RFID的RFIC模块。由制造生产的HMC369RF 其它 IC 和模块RF 其它 IC 和模块产品系列包含各种独特、专门或特定用途的产品，可与 RF、IF 和微波无线电应用结合使用。示例包括 AM/FM 调谐器和接收器、偏置网络、基带处理器、计数器、数字可调电容器、下变频器、倍频器、移相器、前置分频器、端接器、上变频器、VCO 等。