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IND330SK	文件：1.68168 Mbytes Page：41 Pages	LongDistanceDigitalDisplayLinkTransmitter&Receiver [InovaSemiconductors] GeneralDescription TheGigaSTaR®DigitalDisplayLinkisahigh-speedserialandlongdistancelinkforvideo,audioanddigitaldata,whichsupportsthepopularVESAstandardbutalsoproprietaryvideoformatsfromVGAtoUXGAwithcolordepthupto24bits. Features:	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
INDR330B	文件：1.68168 Mbytes Page：41 Pages	LongDistanceDigitalDisplayLinkTransmitter&Receiver [InovaSemiconductors] GeneralDescription TheGigaSTaR®DigitalDisplayLinkisahigh-speedserialandlongdistancelinkforvideo,audioanddigitaldata,whichsupportsthepopularVESAstandardbutalsoproprietaryvideoformatsfromVGAtoUXGAwithcolordepthupto24bits. Features:	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
INDT330B	文件：1.68168 Mbytes Page：41 Pages	LongDistanceDigitalDisplayLinkTransmitter&Receiver [InovaSemiconductors] GeneralDescription TheGigaSTaR®DigitalDisplayLinkisahigh-speedserialandlongdistancelinkforvideo,audioanddigitaldata,whichsupportsthepopularVESAstandardbutalsoproprietaryvideoformatsfromVGAtoUXGAwithcolordepthupto24bits. Features:	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
IRF330	文件：208.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF330	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF330	文件：146.64 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=400V,Rds(on)=1.00ohm,Id=5.5A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF330	文件：58.19 Kbytes Page：7 Pages	5.5A,400V,1.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF330	文件：96.83 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF330	文件：59.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •DrainCurrentID=5.5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •FastSwitchingSpeed APPLICATIONS •Highvoltage,highspeedapplications •Off-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDC motorco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF330	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
HMC330
制造商：
HITTITE
制造商全称：
Hittite Microwave Corporation
功能描述：
GaAs MMIC SUB-HARMONICALLY PUMPED MIXER, 25 - 40 GHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HMC330供应商更新时间2025-7-21 15:01:00

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