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HMC327MS8G	文件：328.29 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER General Description The HMC327MS8G(E) is a high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC power amplifier which operates between 3 and 4 GHz. The amplifi er is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal performa 文件：328.29 Kbytes 页数：6 Pages	AD 亚德诺	AD
HMC327MS8G	文件：262.089 Kbytes Page：8 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz General Description The HMC327MS8G(E) is a high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC power amplifi er which operates between 3 and 4 GHz. The amplifi er is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal perform 文件：262.089 Kbytes 页数：8 Pages	HITTITE	HITTITE
HMC327MS8G	文件：214.91 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz 文件：214.91 Kbytes 页数：6 Pages	HITTITE	HITTITE
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HMC327MS8G	文件：268.6 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz 文件：268.6 Kbytes 页数：6 Pages	HITTITE	HITTITE
HMC327MS8GE	文件：328.29 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER General Description The HMC327MS8G(E) is a high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC power amplifier which operates between 3 and 4 GHz. The amplifi er is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal performa 文件：328.29 Kbytes 页数：6 Pages	AD 亚德诺	AD
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HMC327MS8G_09	文件：214.91 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz 文件：214.91 Kbytes 页数：6 Pages	HITTITE	HITTITE

产品属性

产品编号：
HMC327MS8G
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）
频率：
3GHz ~ 4GHz
P1dB：
27dBm
增益：
21dB
噪声系数：
5dB
射频类型：
WLL，WLAN
电压 - 供电：
5V
电流 - 供电：
250mA
测试频率：
3.5GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-MSOP-EP
描述：
IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP

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