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HMC327MS8G	文件：262.089 Kbytes Page：8 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz GeneralDescription TheHMC327MS8G(E)isahighefficiencyGaAsInGaPHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)MMICpoweramplifierwhichoperatesbetween3and4GHz.Theamplifierispackagedinalowcost,surfacemount8leadedpackagewithanexposedbaseforimprovedRFandthermalperform	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC327MS8G	文件：328.29 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER GeneralDescription TheHMC327MS8G(E)isahighefficiencyGaAsInGaPHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)MMICpoweramplifierwhichoperatesbetween3and4GHz.Theamplifierispackagedinalowcost,surfacemount8leadedpackagewithanexposedbaseforimprovedRFandthermalperforma	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC327MS8G	文件：268.6 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
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HMC327MS8G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC327MS8GE	文件：328.29 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER GeneralDescription TheHMC327MS8G(E)isahighefficiencyGaAsInGaPHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)MMICpoweramplifierwhichoperatesbetween3and4GHz.Theamplifierispackagedinalowcost,surfacemount8leadedpackagewithanexposedbaseforimprovedRFandthermalperforma	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC327MS8G_07	文件：268.6 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite

产品属性

产品编号：
HMC327MS8G
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）
频率：
3GHz ~ 4GHz
P1dB：
27dBm
增益：
21dB
噪声系数：
5dB
射频类型：
WLL，WLAN
电压 - 供电：
5V
电流 - 供电：
250mA
测试频率：
3.5GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-MSOP-EP
描述：
IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP

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