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HMC327MS8GE	文件：328.29 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER General Description The HMC327MS8G(E) is a high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC power amplifier which operates between 3 and 4 GHz. The amplifi er is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal performa 文件：328.29 Kbytes 页数：6 Pages	AD 亚德诺	AD
HMC327MS8GE	文件：214.91 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz 文件：214.91 Kbytes 页数：6 Pages	Hittite	Hittite
HMC327MS8GE	文件：214.91 Kbytes Page：6 Pages	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz 文件：214.91 Kbytes 页数：6 Pages	Hittite	Hittite
HMC327MS8GE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘；包装：带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP	AD 亚德诺	AD
HMC327MS8GETR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP	AD 亚德诺	AD

产品属性

产品编号：
HMC327MS8GE
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
带
频率：
3GHz ~ 4GHz
P1dB：
27dBm
增益：
21dB
噪声系数：
5dB
射频类型：
WLL，WLAN
电压 - 供电：
5V
电流 - 供电：
250mA
测试频率：
3.5GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-MSOP-EP
描述：
IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP

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