GaAs InGaP HBT 驱动放大器，SMT，3.0 - 4.5 GHz

HMC326MS8G 和 HMC326MS8GE 是高效率的 GaAs InGaP 异质结双极晶体管 (HBT) MMIC 驱动放大器，工作频率为 3.0 GHz 至 4.5 GHz。该放大器采用低成本、表面贴装且裸露基底的 8 引脚封装，旨在改善 RF 和热性能。该放大器使用 +5V 电源电压，可提供 21 dB 的增益和 +26 dBm 的饱和功率。不使用放大器时，可以使用关断功能来节省流耗。内部电路匹配功能经过优化，可提供大于 40% 的 PAE。 • 饱和输出功率：+26 dBm\n\n• > 40% PAE\n\n• 输出 IP3：+36 dBm\n\n• 高增益：21 dB\n\n• Vs：+5V\n\n• 超小型封装：MSOP8G;

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GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz

General Description The HMC326MS8G & HMC326MS8GE are high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifi ers which operate between 3.0 and 4.5 GHz. The amplifier is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF

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GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz

General Description The HMC326MS8G & HMC326MS8GE are high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifi ers which operate between 3.0 and 4.5 GHz. The amplifier is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF

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Wireless Local Loop Driver Amplifier

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GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER

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