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HMC1118LP3DETRRF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF中文资料

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厂商型号

HMC1118LP3DETR

参数属性

HMC1118LP3DETR 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘,CSP;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP

功能描述

High Isolation, Silicon SPDT, Nonrefective Switch, 9 kHz to 13.0 GHz
IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP

封装外壳

16-VFQFN 裸露焊盘,CSP

文件大小

1.23468 Mbytes

页面数量

11

生产厂商

AD

中文名称

亚德诺

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更新时间

2025-12-14 23:00:00

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HMC1118LP3DETR规格书详情

HMC1118LP3DETR属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC1118LP3DETR射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线(分集)接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择,或在发射和接收信号链之间切换天线。

产品属性

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  • 产品编号:

    HMC1118LP3DETR

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频开关

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 射频类型:

    VSAT

  • 拓扑:

    吸收

  • 电路:

    SPDT

  • 频率范围:

    9kHz ~ 13GHz

  • 隔离:

    50dB

  • 插损:

    2dB

  • 测试频率:

    3GHz,13GHz

  • P1dB:

    37dBm

  • IIP3:

    62dBm

  • 阻抗:

    50 欧姆

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘,CSP

  • 供应商器件封装:

    16-LFCSP-WQ(3x3)

  • 描述:

    IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP

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