HMC1118RF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF中文资料

厂商型号 |
HMC1118 |
参数属性 | HMC1118 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘,CSP;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP |
功能描述 | High Isolation, Silicon SPDT, Nonrefective Switch, 9 kHz to 13.0 GHz |
封装外壳 | 16-VFQFN 裸露焊盘,CSP |
文件大小 |
1.23468 Mbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | Analog Devices |
企业简称 |
AD【亚德诺】 |
中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 20:07:00 |
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HMC1118规格书详情
HMC1118属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC1118射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线(分集)接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择,或在发射和接收信号链之间切换天线。
产品属性
更多- 产品编号:
HMC1118LP3DETR
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 射频类型:
VSAT
- 拓扑:
吸收
- 电路:
SPDT
- 频率范围:
9kHz ~ 13GHz
- 隔离:
50dB
- 插损:
2dB
- 测试频率:
3GHz,13GHz
- P1dB:
37dBm
- IIP3:
62dBm
- 阻抗:
50 欧姆
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:
16-VFQFN 裸露焊盘,CSP
- 供应商器件封装:
16-LFCSP-WQ(3x3)
- 描述:
IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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