GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

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Package：模具；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP VSAT 300MHZ-20GHZ DIE

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High Linearity Microwave Radios

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Low Noise Amplifier

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Low Noise Amplifier

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Low Noise Amplifier

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GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

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GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器，0.3 GHz至20 GHz

HMC1049是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为0.3 GHz至20 GHz。该LNA提供16 dB的小信号增益、1.7 dB的噪声系数、27 dBm的输出IP3，采用7 V电源时功耗仅为70 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。VDD可施加于焊盘2（VDD = 7 V）或焊盘4（VDD = 4 V）。焊盘4需要偏置树。HMC1049内部匹配至50 Ω，可轻松集成至多芯片模块(MCM)中。所有数据均利用50 Ω测试电路中的芯片获取，通过长度为0.31 mm (12 mil)、直径0.025 mm ( • 低噪声系数：1.7 dB\n\n• 高增益：16 dB\n\n• P1dB输出功率：15 dBm\n\n• 电源电压：7 V (70 mA)\n\n• 输出IP3：27 dBm\n\n• 50 Ω匹配输入/输出\n\n• 裸片尺寸：1.43 mm × 2.9 mm × 0.1 mm;

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GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器，0.3 - 20 GHz

HMC1049LP5E是一款GaAs MMIC低噪声放大器，工作频率范围为0.3至20 GHz。该LNA提供15 dB的小信号增益、1.8 dB的噪声系数、29 dBm的输出IP3，采用+7V电源时功耗仅为70 mA。14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。Vdd可施加于引脚2或21。引脚21需要使用偏置器。HMC1049LP5E放大器I/O内部匹配至50 Ω，采用紧凑型、无引脚QFN 5x5 mm表贴封装。\n\n 应用\n\n 测试仪器仪表 高线性度微波无线电 VSAT和SATCOM 军事和太空 • 低噪声系数：1.8 dB\n\n• P1dB输出功率：14.5 dBm\n\n• PSAT输出功率：17.5 dBm\n\n• 高增益：15 dB\n\n• 输出IP3：29 dBm\n\n• 电源电压：VDD = 7 V (70 mA)\n\n• 50 Ω匹配输入/输出(I/O)\n\n• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装：25 mm2;

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Package：32-VFQFN 裸露焊盘；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP VSAT 300MHZ-20GHZ 32QFN

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