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HMC1049-SX	文件：272.66 Kbytes Page：14 Pages	GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC1049-SX	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模具类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP GP 300MHZ-20GHZ DIE	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
1049A	文件：198.17 Kbytes Page：2 Pages	Inst,4Pr#18StrBC,PVC-NYLInsE1,IS/OS,BlkPVCJkt,600VTC-ER150VNPLF90CDry/Wet ProductDescription ULInstrumentation,4Pair18AWG(7x26)BareCopper,PVC-NYLInsulationE1ColorCode,Individual&OverallBeldfoil®Shield,BlackPVCOuterJacket, 600VTC-ER150VNPLF90CDry/WetSUNRESDIRBUR	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
A1049	文件：341.93 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
AN1049	文件：282.5 Kbytes Page：24 Pages	MINIMIZEPOWERLOSSESOFLIGHTLYLOADEDFLYBACK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
ARJ1049	文件：95.42 Kbytes Page：1 Pages	GULLWINGCASCADABLEARJ1049AMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
BLF1049	文件：110.73 Kbytes Page：12 Pages	BasestationLDMOStransistor DESCRIPTION 125WLDMOSpowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom800MHzto1000MHz. FEATURES •Typicalperformanceatasupplyvoltageof27V: –1-toneCW;IDQ=1000mA –Outputpower=125W –Gain=16.5dB –Efficiency=54 –EDGEoutpu	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CGY1049	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
CK1049	文件：922.87 Kbytes Page：4 Pages	CKROTARYSWITCH FEATURES Standard30°indexing, 60°and90°available Moulded27.5mm diameter Singlewaferswitch Maximum12positions Upto4polesperswitch Shorting(makebeforebreak30°indexingonly) ornon-shorting(breakbeforemake) Mouldedstoporadjustablestopsto restrictnumberofposit	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
D1049	文件：258.089 Kbytes Page：2 Pages	SIL3DigitalOutputDriver,NELoadsBusPowered,DIN-RailModelD1049S Features: SIL3accordingtoIEC61508:2010Ed.2forTproof=12/20 yrs(≤10/>10oftotalSIF). PFDavg(1year)8.32E-06,SFF98.90. SIL3Systematiccapability. OutputtoZone0(Zone20),Division1, installationinZone2,Division2. BuspoweredforNEloads. Shortandopencir	GMIG.M. International Gm 国际公司	GMI
D1049S	文件：258.089 Kbytes Page：2 Pages	SIL3DigitalOutputDriver,NELoadsBusPowered,DIN-RailModelD1049S Features: SIL3accordingtoIEC61508:2010Ed.2forTproof=12/20 yrs(≤10/>10oftotalSIF). PFDavg(1year)8.32E-06,SFF98.90. SIL3Systematiccapability. OutputtoZone0(Zone20),Division1, installationinZone2,Division2. BuspoweredforNEloads. Shortandopencir	GMIG.M. International Gm 国际公司	GMI
D1049SB	文件：258.089 Kbytes Page：2 Pages	SIL3DigitalOutputDriver,NELoadsBusPowered,DIN-RailModelD1049S Features: SIL3accordingtoIEC61508:2010Ed.2forTproof=12/20 yrs(≤10/>10oftotalSIF). PFDavg(1year)8.32E-06,SFF98.90. SIL3Systematiccapability. OutputtoZone0(Zone20),Division1, installationinZone2,Division2. BuspoweredforNEloads. Shortandopencir	GMIG.M. International Gm 国际公司	GMI
DEI1049	文件：690.81 Kbytes Page：8 Pages	OCTALARINC429LINERECEIVER	DEIAZ Device Engineering Incorporated	DEIAZ
DEI1049-TES-G	文件：690.81 Kbytes Page：8 Pages	OCTALARINC429LINERECEIVER	DEIAZ Device Engineering Incorporated	DEIAZ
DEI1049-TMS-G	文件：690.81 Kbytes Page：8 Pages	OCTALARINC429LINERECEIVER	DEIAZ Device Engineering Incorporated	DEIAZ
EE-SX1049	文件：86.77 Kbytes Page：4 Pages	Photomicrosensor(Transmissive)	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
FIN1049	文件：319.67 Kbytes Page：10 Pages	LVDSDualLineDriverwithDualLineReceiver GeneralDescription ThisdualDriver-ReceiverisdesignedforhighspeedinterconnectsutilizingLowVoltageDifferentialSignaling(LVDS)technology.TheDriveracceptsLVTTLinputsandtranslatesthemtoLVDSoutputs.TheReceiveracceptsLVDSinputsandtranslatesthemtoLVTTLoutputs.TheLV	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FIN1049	文件：822.46 Kbytes Page：14 Pages	LVDSDual-LineDriverwithDual-LineReceiver Description Thisdualdriver-receiverisdesignedforhigh-speedinterconnectsutilizingLowVoltageDifferentialSignaling(LVDS)technology.ThedriveracceptsLVTTLinputsandtranslatesthemtoLVDSoutputs.ThereceiveracceptsLVDSinputsandtranslatesthemtoLVTTLoutputs.TheLVDSlevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FIN1049	文件：1.06498 Mbytes Page：12 Pages	LVDSDual-LineDriverwithDual-LineReceiver GeneralDescription ThisdualDriver-ReceiverisdesignedforhighspeedinterconnectsutilizingLowVoltageDifferentialSignaling(LVDS)technology.TheDriveracceptsLVTTLinputsandtranslatesthemtoLVDSoutputs.TheReceiveracceptsLVDSinputsandtranslatesthemtoLVTTLoutputs.TheLV	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FIN1049MTC	文件：319.67 Kbytes Page：10 Pages	LVDSDualLineDriverwithDualLineReceiver GeneralDescription ThisdualDriver-ReceiverisdesignedforhighspeedinterconnectsutilizingLowVoltageDifferentialSignaling(LVDS)technology.TheDriveracceptsLVTTLinputsandtranslatesthemtoLVDSoutputs.TheReceiveracceptsLVDSinputsandtranslatesthemtoLVTTLoutputs.TheLV	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
HMC1049-SX
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
托盘
频率：
300MHz ~ 20GHz
P1dB：
13dBm
增益：
16dB
噪声系数：
1.7dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
7V
电流 - 供电：
70mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC RF AMP GP 300MHZ-20GHZ DIE

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