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HMC1049LP5E数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

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厂商型号

HMC1049LP5E

参数属性

HMC1049LP5E 封装/外壳为32-VFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 300MHZ-20GHZ 32QFN

功能描述

GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器,0.3 - 20 GHz
IC RF AMP GP 300MHZ-20GHZ 32QFN

封装外壳

32-VFQFN 裸露焊盘

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 20:22:00

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HMC1049LP5E规格书详情

描述 Description

HMC1049LP5E是一款GaAs MMIC低噪声放大器,工作频率范围为0.3至20 GHz。该LNA提供15 dB的小信号增益、1.8 dB的噪声系数、29 dBm的输出IP3,采用+7V电源时功耗仅为70 mA。14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。Vdd可施加于引脚2或21。引脚21需要使用偏置器。HMC1049LP5E放大器I/O内部匹配至50 Ω,采用紧凑型、无引脚QFN 5x5 mm表贴封装。

应用

测试仪器仪表 高线性度微波无线电 VSAT和SATCOM 军事和太空

特性 Features

• 低噪声系数:1.8 dB

• P1dB输出功率:14.5 dBm

• PSAT输出功率:17.5 dBm

• 高增益:15 dB

• 输出IP3:29 dBm

• 电源电压:VDD = 7 V (70 mA)

• 50 Ω匹配输入/输出(I/O)

• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm2

简介

HMC1049LP5E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC1049LP5E射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC1049LP5E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    300MHz ~ 20GHz

  • P1dB:

    14.5dBm

  • 增益:

    15dB

  • 噪声系数:

    1.8dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    7V

  • 电流 - 供电:

    70mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    32-QFN(5x5)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 300MHZ-20GHZ 32QFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ADI
202009
32QFN
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