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IRFM044	文件：189.51 Kbytes Page：7 Pages	60V,N-CHANNEL	IRF International Rectifier	IRF
IRFMJ044	文件：239.98 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETSURFACEMOUNT(D3PAK)	IRF International Rectifier	IRF
IRFMJ044	文件：245.33 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN044	文件：211.52 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=60V,Rds(on)=0.040ohm,Id=44A) RDS(on)0.04Ω ID44A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-established	IRF International Rectifier	IRF
IRFN044	文件：137.5 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN044SMD	文件：22.51 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP044	文件：1.996 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP044	文件：170.96 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.028ohm,Id=57A) Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044N	文件：105.25 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.020ohm,Id=53A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044N	文件：335.02 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •UltraLowOn-resistance •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
HMC-C044
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频混频器
包装：
托盘
射频类型：
VSAT
频率：
15GHz ~ 23GHz
安装类型：
连接器安装
封装/外壳：
模块，SMA 连接器
供应商器件封装：
模块
描述：
I/Q MIX / IRM MODULE 15 - 23 GHZ

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