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IRF730B	文件：201.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=5.5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •FastSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications, suchasoff-lineswitchingpowers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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IRF730B

文件：201.45 Kbytes

Page：2 Pages

N-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=5.5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •FastSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications, suchasoff-lineswitchingpowers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更多HM730F供应商更新时间2025-7-25 14:02:00

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