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IRF730	文件：206.5 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET Description Designedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Alsoofferadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchaspowersupplies,PWMmotorcontrolsandotherinductiveloads,theavalancheenergycap	DCCOM Dc Components	DCCOM
IRF730	文件：134.68 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730	文件：95.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-ACconvert	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF730	文件：128.44 Kbytes Page：1 Pages	N-channelmosfettransistor Features •WithTO-220package •Simpledriverequirements •Fastswitching •VDSS=400V;RDS(ON)≤1.0Ω;ID=5.5A •1.gate2.drain3.source	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF730	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF730	文件：277.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730	文件：341.04 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF730areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. FEATURES ●RDS(ON)=1.00Ω@VGS=10V ●Ultralowgatec	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF730	文件：100.66 Kbytes Page：3 Pages	6.0A400VNCHANNELPOWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆HigherCurrentRating ◆LowerrDS(ON),LowerCapacitances ◆LowerTotalGateCharge ◆TighterVSDSp	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF730	文件：355.59 Kbytes Page：16 Pages	HighPowerFactor/LowTHD	IRF International Rectifier	IRF
IRF730	文件：365.66 Kbytes Page：6 Pages	6.0A,400V,1.0廓N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ➤IRF730is400VHighvoltageN-Channelenhancement modepowerMOS-FETchipfabricatedinadvanced siliconepitaxialplanartechnology; ➤Advancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapability; ➤AvalancheEnergySpecified; ➤Source-to-DrainDiodeRecov	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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