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PHB55N03LT	文件：344.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB55N03LTA	文件：1.01483 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHB55N03LTA	文件：296.3 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP55N03LTAinaSOT78(TO-220AB) PHB55N03LTAinaSOT404(D2-PAK) PHD55N03LTAinaSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB55N03T	文件：63.5 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB55N03T	文件：344.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD55N03	文件：250.37 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD55N03LT	文件：298.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD55N03LT	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance •Logiclevelcompatible Appl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD55N03LTA	文件：296.3 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP55N03LTAinaSOT78(TO-220AB) PHB55N03LTAinaSOT404(D2-PAK) PHD55N03LTAinaSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP55N03LT	文件：371.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	HM55N03D	NK/南科功率	2025+	DFN5X6-8L	986966	国产	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	HM55QFN	ST	2447	QFN	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳兆威电子有限公司	HM56	华昕	23+	SOT-89	63000	原装正品现货	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	HM56	华昕	23+	SOT-89	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	HM56	华昕	24+	NA/	4117	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	HM56	华昕	23+	SOT-89	50000	原装正品支持实单	询价
深圳市博浩通科技有限公司	HM56256P-15	HIT	23+	DIP	8890	价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HM5626	HZM	23+	SOT23-6	497978	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	HM5630BLW-WEL	HTOT	13+		9407	原装分销	询价

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