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KDF100N04P	文件：969.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel4-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •SynchronousRectification •PowerSupplies	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP100N04MDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N04MDH	文件：371.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP100N04MUH	文件：371.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP100N04MUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N04NDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N04NDH	文件：280.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP100N04NUH	文件：280.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP100N04NUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N04NUJ	文件：223.75 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP100N04NUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)=3.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=5600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Highcurrentrating:ID	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HM100N06F	HMSEMI	23+	TO220F	62388	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HM100P03K	HM	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HM100P03K	HM	2022+	TO-252	35633	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	HM100P03K	HM	24+	NA/	22550	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	HM100P03K	HM	23+	TO-252	6800	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HM100P03K	HM	20+	TO-252	35633	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市博中泰实业有限公司	HM100P03K	HM	24+	TO-252	60000		询价
深圳市德力诚信科技有限公司	HM100P03K-VB	VBSEMI	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
深圳市达恩科技有限公司	HM1-0104/883	INTERSI	24+	DIP	185	进口原装正品优势供应	询价
深圳市毅创弘电子科技有限公司	HM1-0104/883	INTERSIL	24+	DIP	66800	原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！	询价

更多HM100N04供应商更新时间2025-7-28 15:59:00

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