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HM-6508	文件：234.23 Kbytes Page：9 Pages	1024 x 1 CMOS RAM Description TheHM-6508isa1024x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby....................50µWMax •L	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
HM-6508/883	文件：234.23 Kbytes Page：9 Pages	1024 x 1 CMOS RAM Description TheHM-6508isa1024x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby....................50µWMax •L	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
HM-6508883	文件：234.23 Kbytes Page：9 Pages	1024 x 1 CMOS RAM Description TheHM-6508isa1024x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby....................50µWMax •L	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
6508A	文件：65.129 Kbytes Page：2 Pages	IsolatedDiodeArraywithHiRelMQ,MX,MV,andSPScreeningOptions	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
AON6508	文件：295.92 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelAlphaMOS GeneralDescription •LatestTrenchPowerAlphaMOS(αMOSLV)technology •VeryLowRDS(on)at4.5VGS •LowGateCharge •HighCurrentCapability •RoHSandHalogen-FreeCompliant ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AP6508	文件：999.84 Kbytes Page：14 Pages	500kHz21V3ASYNCHRONOUSDC/DCBUCKCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AP6508FE	文件：999.84 Kbytes Page：14 Pages	500kHz21V3ASYNCHRONOUSDC/DCBUCKCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
C6508A	文件：74.59 Kbytes Page：1 Pages	20C287/36TCPVCOASPVCCOMMUNICATIONCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司
MAX6508	文件：241.83 Kbytes Page：12 Pages	DualTripSOTTemperatureSwitches	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX6508UT	文件：256.019 Kbytes Page：10 Pages	DualTripSOTTemperatureSwitchesNoExternalComponentsRequired	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MP6508	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司
MP6508GF	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司
MP6508GR	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司
MTD6508	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
MTD6508-ADJE/JQ	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
MTD6508T-E/NA	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
N6508NZ	文件：448.96 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,9.5A,0.85 Description TheN6508NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=0.85MAX.(VGS=10V,ID=4.75A) Lowinputcapacitance Ciss=2160pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±9	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NTE6508	文件：37.57 Kbytes Page：4 Pages	IntegratedCircuitCMOS,1KStaticRAM(SRAM) Description: TheNTE6508isa1024x1fullystaticCMOSRAMina16–LeadDIPtypepackagefabricatedusingself–alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoacheivehighperformanceandlowpoweroperation.Onchiplatchesareprovidedforaddressallowi	NTE NTE Electronics, Inc
NX6508	文件：332.22 Kbytes Page：4 Pages	NECsInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR2.5Gb/s,CWDMAPPLICATIONS	CEL California Eastern Laboratories
NX6508	文件：258.43 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1470TO1610nmFOR2.5Gb/s,CWDM InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6508Seriesisa1470to1610nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. Thesedevicesareidealfor2.5Gb/sCWDMapplication. FEATURES •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
HM-6508
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
1024 x 1 CMOS RAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	HM65-100LF	BITECH	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	HM-6514/883	HAR	19+		9850	公司原装现货/随时可以发货	询价
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更多HM-6508供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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