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HLDD60P03	文件：730.25 Kbytes Page：5 Pages	Marking：D60P03；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HLDD60P03	文件：896.46 Kbytes Page：5 Pages	Marking：D60P03；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
LMAK60P03	文件：1.59007 Mbytes Page：5 Pages	-30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NCE60P03R	文件：661.21 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60P03Rusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis wellsuitedforuseasaloadswitchorinPWMapplications.Application ●Loadswitch ●PWMapplication GeneralFeatures ●VDS=-60V,ID=-3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE60P03Y	文件：358.87 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60P03Yusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceiswellsuitedforuseasaloadswitchorinPWM applications. GeneralFeatures ●VDS=-60V,ID=-3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
RFG60P03	文件：104.11 Kbytes Page：6 Pages	60A,30V,AvalancheRated,P-ChannelEnhancement-ModePowerMOSFETs Features •60A,30V •rDS(ON)=0.027Ω •TemperatureCompensatingPSPICE®Model •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve •175oCOperatingTemperature •RelatedLiterature -TB334“GuidelinesforSolderingSurfaceMountComponentstoPCBoards”	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFG60P03	文件：88.95 Kbytes Page：7 Pages	60A,30V,0.027Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseP-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP60P03	文件：88.95 Kbytes Page：7 Pages	60A,30V,0.027Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseP-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP60P03	文件：104.11 Kbytes Page：6 Pages	60A,30V,AvalancheRated,P-ChannelEnhancement-ModePowerMOSFETs Features •60A,30V •rDS(ON)=0.027Ω •TemperatureCompensatingPSPICE®Model •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve •175oCOperatingTemperature •RelatedLiterature -TB334“GuidelinesforSolderingSurfaceMountComponentstoPCBoards”	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
STTH60P03S	文件：79.72 Kbytes Page：6 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERPDPENERGYRECOVERY DESCRIPTION TheSTTH60P03SWisanUltrafastRecoveryPowerRectifierdedicatedtoenergyrecoveryinPDPapplication. ThekeyparametersoftheDERCdiodefortheenergyrecoverycicuithavebeenoptimizedinordertodecreasepowerlosses. FEATURESANDBENEFITS ■Ultrafastrecovery	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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