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MCH6602	文件：66.09 Kbytes Page：5 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6602	文件：488.16 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6602	文件：248.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6602-TL-E	文件：248.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6602	文件：122.37 Kbytes Page：2 Pages	NJSemi-Conductorsreservestherighttochangetestconditions,parameterlimit NJSemi-Conductorsreservestherighttochangetestconditions,parameterlimit	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MPS6602	文件：82.11 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYHIGHCURRENTAMPLIFIERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS6602	文件：30.01 Kbytes Page：1 Pages	NPN(AMPLIFIERTRANSISTOR) AMPLIFIERTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCES=40V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS6602	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6602	文件：246.1 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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产品属性

产品编号：
HIP6602BCRZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（5x5）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

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