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HVE-6601R	文件：1.53183 Mbytes Page：4 Pages	Multicastingandbroadcastingarchitecture	LVL1 Level One	LVL1
HVE-6601T	文件：1.53183 Mbytes Page：4 Pages	Multicastingandbroadcastingarchitecture	LVL1 Level One	LVL1
IRF6601	文件：130.08 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET??PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheIRF6601combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
LMH6601	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMH6601	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMH6601MG	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6601MG	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6601MG/NOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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产品属性

产品编号：
HIP6601BECBZA-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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