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MCH6601-TL-E	文件：253.98 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerMOSFET Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •1.5Vdrive •Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MIS6601	文件：518.809 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MP6601	文件：414.62 Kbytes Page：14 Pages	35V,2.5A,StepperMotorDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6601GF	文件：414.62 Kbytes Page：14 Pages	35V,2.5A,StepperMotorDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6601GU	文件：414.62 Kbytes Page：14 Pages	35V,2.5A,StepperMotorDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MPS6601	文件：91.95 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6601	文件：69.6 Kbytes Page：2 Pages	NPN(AMPLIFIERTRANSISTOR)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS6601	文件：246.1 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPS6601	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6601	文件：82.11 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYHIGHCURRENTAMPLIFIERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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产品属性

产品编号：
HIP6601BECBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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