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HIP6601BCBZ中文资料Intersil数据手册PDF规格书

HIP6601BCBZ
厂商型号

HIP6601BCBZ

参数属性

HIP6601BCBZ 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Drives Two N-Channel MOSFETs

文件大小

256.459 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Intersil Corporation
企业简称

Intersil

中文名称

Intersil Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-25 22:58:00

产品属性

  • 产品编号:

    HIP6601BCBZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10.8V ~ 13.2V

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    20ns,20ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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