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HIP6601BCB-T集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
HIP6601BCB-T |
参数属性 | HIP6601BCB-T 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
功能描述 | Drives Two N-Channel MOSFETs |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
文件大小 |
256.459 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | Intersil Corporation |
企业简称 |
Intersil |
中文名称 | Intersil Corporation官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-17 16:20:00 |
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产品属性
- 产品编号:
HIP6601BCB-T
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10.8V ~ 13.2V
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
20ns,20ns
- 工作温度:
0°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
intersil |
24+ |
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