HIP6601集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料

厂商型号	HIP6601
参数属性	HIP6601 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
功能描述	Synchronous-Rectified Buck MOSFET Drivers
封装外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
文件大小	84.68 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	Intersil Corporation
企业简称	INTERSIL
中文名称	Intersil Corporation官网
原厂标识	INTERSIL
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-5 22:58:00
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HIP6601规格书详情

Synchronous-Rectified Buck MOSFET Drivers

The HIP6601 and HIP6603 are high frequency, dual MOSFET drivers specifically designed to drive two power

N-Channel MOSFETs in a synchronous-rectified buck converter topology. These drivers combined with a HIP630x Multi-Phase Buck PWM controller and Intersil UltraFETs™ form a complete core-voltage regulator solution for

advanced microprocessors.

特性 Features

• Drives Two N-Channel MOSFETs

• Adaptive Shoot-Through Protection

• Internal Bootstrap Device

• Supports High Switching Frequency

- Fast Output Rise Time

- Propagation Delay 30ns

• Small 8 Lead SOIC Package

• Dual Gate-Drive Voltagesfor Optimal Efficiency

• Three-State Input for Bridge Shutdown

• Supply Under Voltage Protection

Applications

• Core Voltage Supplies for Intel Pentium® III, AMD® Athlon™ Microprocessors

• High Frequency Low Profile DC-DC Converters

• High Current Low Voltage DC-DC Converters

产品属性

产品编号：
HIP6601BCB-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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