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NTD5806NG

PowerMOSFET40V,33A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTD5806NG

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTE5806

NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27

Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop

NTE

NTE Electronics

NVD5806N

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NVD5806N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

P5806NVG

DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

P5806NVG

N-&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

PT5806

18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

PT5806

18AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

PT5806A

18AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

  • 型号:

    HI5806IB

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HAR
24+/25+
10
原装正品现货库存价优
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HAR
2015+
SOP/DIP
19889
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SOP-24
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SOP28
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24+
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SOP-7.2-24P
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SO-24
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23+
SO-24
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更多HI5806IB供应商 更新时间2025-5-29 19:14:00