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HM5806	文件：889.57 Kbytes Page：7 Pages	mobilepowersolutionIC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HP5806	文件：725.28 Kbytes Page：25 Pages	PRECISIONBAROMETERANDALTIMETERSENSOR	HOPEHOPE Microelectronics CO., Ltd. 华普微深圳市华普微电子股份有限公司	HOPE
IRF5806	文件：218.25 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-20V) Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●Ultra	IRF International Rectifier	IRF
IRF5806PBF	文件：203.83 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF5806TRPBF	文件：203.83 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
LV5806MX	文件：84.24 Kbytes Page：5 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTD5806N	文件：1.0293 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTD5806N	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD5806N	文件：84.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5806N	文件：140.45 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,33A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
HI5806IB
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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