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HGTG7N60A4D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HGTG7N60A4D |
| 参数属性 | HGTG7N60A4D 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 34A 125W TO247 |
| 功能描述 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
143.32 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
FAIRCHILD【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 | FAIRCHILD |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 18:32:00 |
| 人工找货 | HGTG7N60A4D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTG7N60A4D规格书详情
The HGTG7N60A4D, HGTP7N60A4D and HGT1S7N60A4DS are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT used is the development type TA49331. The diode used in anti-parallel is the development type TA49370.
This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.
特性 Features
• >100kHz Operation At 390V, 7A
• 200kHz Operation At 390V, 5A
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 75ns at TJ = 125°C
• Low Conduction Loss
• Temperature Compensating SABER™ Model www.fairchildsemi.com
产品属性
- 产品编号：
HGTG7N60A4D
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，7A
- 开关能量：
55µJ（开），60µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/100ns
- 测试条件：
390V，7A，25 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 34A 125W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
03+ |
TO-247 |
4000 |
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仙童 |
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