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HGTG7N60A4D	文件：134.44 Kbytes Page：8 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode TheHGTG7N60A4D,HGTP7N60A4DandHGT1S7N60A4DSareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-state	Intersil Intersil Corporation
HGTG7N60A4D	文件：143.32 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode TheHGTG7N60A4D,HGTP7N60A4DandHGT1S7N60A4DSareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-state	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
HGTG7N60A4D	文件：189.45 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
HGTG7N60A4D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 34A 125W TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HGTG7N60A4D_05	文件：189.45 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

产品属性

产品编号：
HGTG7N60A4D
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，7A
开关能量：
55µJ（开），60µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/100ns
测试条件：
390V，7A，25 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 34A 125W TO247

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